Chương V. CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO CHẤM LƯỢNG TỬ CuInS2

CuInS2 có cấu trúc tinh thể lập phương, rất giống ZnS với sự thay thế nguyên tử Cu và In cho 2 nguyên tử Zn. Với hợp thức 3 nguyên tố, vật liệu này có độ rộng vùng cấm 1,52 eV tương ứng với bờ hấp thụ đến tận vùng hồng ngoại gần, rất thích hợp cho pin mặt trời. 

Theo xu hướng chung chế tạo các vật liệu bán dẫn có cấu trúc nanô, các chấm lượng tử CuInS2 gần đây được quan tâm nghiên cứu chế tạo và thăm dò các ứng dụng khác nhau [1-20]. Chương này trình bày một số phương pháp hoá để chế tạo các chấm lượng tử bán dẫn CuInS2 và CuInS2/ZnS cấu trúc lõi/vỏ, đặc biệt là công nghệ chế tạo trong dung môi diesel [14].