Chương III. CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO CHẤM LƯỢNG TỬ BÁN DẪN CdTe, CdSe và CdTe(Se)/CdS CẤU TRÚC LÕI/VỎ TRONG MÔI TRƯỜNG NƯỚC

Chương này trình bày một số công nghệ sử dụng các phương pháp hoá, thực hiện tại các phòng thí nghiệm trên thế giới và ở Việt Nam để chế tạo các chấm lượng tử bán dẫn CdTe, CdSe và CdTe(Se) với lớp vỏ CdS hoặc ZnS, trực tiếp trong môi trường nước, sử dụng hợp chất của thiol làm phối tử ligand/chất hoạt động bề mặt (MPA hoặc MSA) [1-15]. Nguyên lý chung của phương pháp này là tạo phản ứng giữa các ion Cd2+ với Te2– (hoặc Se2–) trong môi trường nước với sự có mặt của chất hoạt động bề mặt là MPA hoặc MSA. Các ion Cd2+ được cung cấp từ nhiều nguồn muối vô cơ khác nhau như CdCl2, CdBr2; còn ion Te2– (Se2–) được cung cấp từ NaHTe (NaHSe) nhờ quá trình khử Te (Se) bằng chất khử NaBH4. Ưu thế của cách tiếp cận này là sản phẩm chấm lượng tử bán dẫn chế tạo được có thể sử dụng ngay cho những thí nghiệm đánh dấu huỳnh quang y-sinh, không phải qua quá trình chuyển đổi ligand để phân tán được trong nước [15-21]. Hơn nữa, về mặt công nghệ, rất dễ dàng nâng quy mô chế tạo tới hàng gam chấm lượng tử mỗi mẻ mà không cần thay đổi gì đặc biệt so với quy mô chế tạo vài chục mg. Do sử dụng dung môi là nước, nên nhiệt độ chế tạo chấm lượng tử bán dẫn không cao. Nhìn chung, chất lượng chấm lượng tử bán dẫn chế tạo được tốt, huỳnh quang với hiệu suất từ hàng chục đến 70%.