Chương II. CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO CHẤM LƯỢNG TỬ BÁN DẪN CdSe, CdZnSe LÕI/ CdS HOẶC ZnS VỎ
Chương này trình bày một số công nghệ sử dụng các phương pháp hoá, hoá-lý đã và đang được áp dụng tại các phòng thí nghiệm trên thế giới và ở Việt Nam để chế tạo các chấm lượng tử bán dẫn CdSe, CdZnSe với lớp vỏ đơn CdS hoặc ZnS, hoặc vỏ kép CdS/ZnS hoặc ZnSe/ZnS. Chúng tôi trình bày công nghệ chế tạo chấm lượng tử bán dẫn CdSe với cả hai phương pháp đi từ hợp chất cơ-kim Cd(Me)2 và vô cơ CdO, với sự lưu ý trình bày kỹ quy trình chế tạo lượng lớn hàng gam/mẻ chấm lượng tử chất lượng cao sử dụng tiền chất vô cơ CdO ít độc hại và dễ bảo quản hơn các hợp chất cơ-kim của Cd,...