Chương IV. CÔNG NGHỆ CHẾ TẠO CHẤM LƯỢNG TỬ InP VÀ InP/ZnS CẤU TRÚC LÕI/VỎ
Liên kết trong InP có tính cộng hóa trị cao hơn hẳn so với CdSe và CdTe. Vì vậy, chế tạo chấm lượng tử bán dẫn InP bằng phương pháp hóa thường đòi hỏi những hóa chất đặc biệt và thời gian dài hơn. Trong thời gian khoảng chục năm trở lại đây, một số nhóm trên thế giới đã bắt đầu tập trung nghiên cứu công nghệ chế tạo tinh thể nanô/chấm lượng tử InP nhằm tìm kiếm vật liệu thay thể CdSe, CdTe trong những ứng dụng không Cd [1-51]. Chương này trình bày một số phương pháp hoá để chế tạo các chấm lượng tử bán dẫn InP và InP/ZnS cấu trúc lõi/vỏ do chúng tôi thực hiện, kể cả trong môi trường nước và trong dung môi hữu cơ có nhiệt độ sôi cao và các nghiên cứu về vai trò của Zn trong việc hình thành chấm lượng tử bán dẫn hợp kim In(Zn)P. Các bước thí nghiệm cũng như thảo luận về ưu điểm và hạn chế của từng phương pháp được trình bày khá chi tiết.